Пленки поликристаллического кремния в технологии изготовления ИС используются главным образом для формирования затворов в самосовмещенных структурах и создания проводниковых соединений. Диффузия примесей в пленках поликремния описывается на основе модели движения атомов по границам зерен. Проникновение примесей при этом происходит в десятки раз быстрее чем в монокристаллическом материале,

Следует отметить, что в каждом отдельном случае результаты диффузии в поликристаллическом кремнии предсказываются с большой вероятностью ошибки, хотя известно, что математически процесс описывается с помощью той же функции ошибок, но с несколько другими входящими под ее знак параметрами (D_nt)^0.25.Однако чаше используется классический закон распределения примесей на основе функции ошибок с аргументами χ√(Dt)

Исследования электрофизических свойств поликристаллических слоев, легированных элементами V группы показывают, что процесс диффузии сопровождается сегрегацией этих элементов на межзеренных границах. В целом диффузия примесей в поликристаллическом кремнии является нежелательным процессом.

Комментарии запрещены.