Как известно, изготовление транзисторов на основе арсенида галлия GaAs вследствие большой подвижности носителей заряда существенно повышает их рабочие частоты по сравнению с кремниевыми.

Высокая упругость паров мышьяка затрудняет использование метода диффузии из газовой фазы. Основную трудность проведения диффузии в арсениде галлия GaAs представляет склонность этих составов к нарушению стехиометрии. Процесс обычно проводится в избытке мышьяка в два этапа. На первой низкотемпературной стадии формируется тонкий (не более 0,1 мкм) примесный слой. Перед высокотемпературным отжигом на второй стадии пластина арсенида галлия покрывается слоем оксида кремния, который предотвращает нарушение стехиометрии материала. Для защиты слоев арсенида галлия GaAs в ряде случаев также применяется фосфоросиликатное стекло толщиной около 0,5 мкм.

Применение оксидных слоев, легированных соответствующими примесями, позволяет использовать эти слои не только в качестве защитных масок, но и как источники диффундирующего вещества. При высоких значениях коэффициента диффузии примесей в арсениде галлия даже при больших толщинах оксидного слоя трудно организовать источник бесконечной мощности. В этих условиях глубина залегания р—n-перехода зависит от оксидного слоя.

Комментарии запрещены.