Возможность создания мелких переходов является, пожалуй, основным достоинством процесса ионной имплантации. В настоящее время технически осуществимым является сосредоточение легирующих примесей в слое толщиной 20 нм, это значит, что р—n-переход будет заметен на глубине около 40 атомных слоев. Создание мелких переходов требует исключения эффекта каналировапия, полное устранение которого достигается предварительной аморфизацией кремния.

Работа приборов с толщиной области обеднения 20 нм может быть основана на эффекте горячих электронов. При длине свободного пробега электронов 10 нм их продвижение происходит без рассеяния и с большой скоростью, что позволяет существенно раздвинуть частотный предел использования ИС.

При размерах затвора полевых транзисторов 0,1x 0,1 мкм и уровне легирования в области канала 10¹⁸ см^-3 появляются эффекты статистического легирования. При числе атомных слоев под затвором, равном 40, проявляются флуктуации рабочих режимов транзистора, определяемые отношением √N/N и составляющие величину порядка 20%.

В заключение необходимо отметить, что ионная имплантация, обладая рядом преимуществ, будет играть в будущем основную роль в технологии создания ИС.

Комментарии запрещены.